臭氧發(fā)生器在ALP中的應(yīng)用

圖1顯示了ALD技術(shù)的總體應(yīng)用空間，圈出了基于臭氧的ALP/O3工藝的應(yīng)用空間。這些圈出的類(lèi)別突出了ALP/O3在半導(dǎo)體和光伏器件制造中的廣泛應(yīng)用空間。

開(kāi)展臭氧應(yīng)用的ALD應(yīng)用空間

圖2顯示了ALD/O3技術(shù)的一些特定微電子應(yīng)用。臭氧輸送系統(tǒng)與ALD設(shè)備一起用于生產(chǎn)微電子制造中的各種關(guān)鍵介電膜。ALD/O3用于在DRAM電容器中沉積ZrO2和Al2O3膜；該方法用于深孔中的SiO2沉積和VNAND器件中的Al2O3沉積。

ALP/O3薄膜沉積工藝的一些應(yīng)用領(lǐng)域。

圖3顯示了3D NAND結(jié)構(gòu)的橫截面以及在其制造中采用的不同工藝。

32L 3D NAND閃存

ALD廣泛用于該器件的制造，ALD/O3工藝用于關(guān)鍵氧化物層。64L 3D NAND結(jié)構(gòu)具有100:1的深孔縱橫比（a/R）；計(jì)劃的3D NAND結(jié)構(gòu)將具有甚至更嚴(yán)重的縱橫比。對(duì)未來(lái)3D NAND設(shè)計(jì)的期望要求越來(lái)越多的層具有越來(lái)越大的深孔縱橫比。能夠處理具有這種縱橫比的拓?fù)涞某练e技術(shù)是ALD，其中ALD/O3是孔內(nèi)電介質(zhì)沉積的選擇。雖然在困難的拓?fù)浞矫娌荒敲匆俗⒛?，但?dāng)前的邏輯器件設(shè)計(jì)要求在其制造中增加ALP的使用。邏輯器件采用ALD/O3工藝來(lái)形成高k電介質(zhì)，例如在柵極氧化物應(yīng)用中的ZrO2、HfO2、Al2O3、La2O3和LaxAlyO。雖然這些柵極介電膜可以使用不同的氧化劑來(lái)制備，但研究表明，使用O3進(jìn)行氧化可以通過(guò)改善界面性能和消除污染，特別是通過(guò)羥基（OH）部分來(lái)改善電性能。

用于DRAM、VNAND和邏輯器件的ALD/O3工藝需要臭氧產(chǎn)生系統(tǒng)，該系統(tǒng)能夠以支持生產(chǎn)吞吐量需求的流速輸送足夠濃度的臭氧。對(duì)于DRAM應(yīng)用，例如ZrO/Al2O3/ZrO雙層高k電介質(zhì)，這意味著ALD系統(tǒng)需要輸送高達(dá)20slm的臭氧濃度為175至320g/Nm3的氣體。邏輯器件中的高k柵極電介質(zhì)（如La2O3）的生產(chǎn)工藝，每個(gè)腔室只需要2至3 slm的臭氧前體氣體，臭氧的精確劑量在每slm 5%重量的范圍內(nèi)。典型的3D NAND工藝需要類(lèi)似于DRAM生產(chǎn)中的前驅(qū)體流；然而，前體氣體中的臭氧濃度可以高于高k門(mén)工藝中使用的臭氧濃度，范圍在150至300g/Nm3之間。任何臭氧發(fā)生器和/或輸送系統(tǒng)的持續(xù)挑戰(zhàn)是由應(yīng)用和OEM的系統(tǒng)（即腔室）設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)的同時(shí)濃度和流量要求。